-
Čo je karbid tantalu?
Karbid tantalu (TaC) je binárna zlúčenina tantalu a uhlíka s chemickým vzorcom TaC x, kde x sa zvyčajne pohybuje medzi 0,4 a 1. Sú to extrémne tvrdé, krehké, žiaruvzdorné keramické materiály s kovovou vodivosťou. Sú to hnedo-sivé prášky a sme my...Prečítajte si viac -
čo je karbid tantalu
Karbid tantalu (TaC) je ultra-vysokoteplotný keramický materiál s vysokou teplotnou odolnosťou, vysokou hustotou, vysokou kompaktnosťou; vysoká čistota, obsah nečistôt <5PPM; a chemická inertnosť voči amoniaku a vodíku pri vysokých teplotách a dobrá tepelná stabilita. Takzvaný ultravysoký...Prečítajte si viac -
Čo je epitaxia?
Väčšina inžinierov nepozná epitaxiu, ktorá hrá dôležitú úlohu pri výrobe polovodičových zariadení. Epitaxia môže byť použitá v rôznych čipových produktoch a rôzne produkty majú rôzne typy epitaxie, vrátane Si epitaxie, SiC epitaxie, GaN epitaxie atď. Čo je epitaxia? Epitaxia je...Prečítajte si viac -
Aké sú dôležité parametre SiC?
Karbid kremíka (SiC) je dôležitý širokopásmový polovodičový materiál široko používaný vo vysokovýkonných a vysokofrekvenčných elektronických zariadeniach. Nasledujú niektoré kľúčové parametre doštičiek z karbidu kremíka a ich podrobné vysvetlenia: Parametre mriežky: Zabezpečte, aby ...Prečítajte si viac -
Prečo je potrebné valcovať monokryštálový kremík?
Valcovanie označuje proces brúsenia vonkajšieho priemeru kremíkovej monokryštálovej tyčinky na monokryštálovú tyčinku požadovaného priemeru pomocou diamantového brúsneho kotúča a brúsenie referenčného povrchu s plochým okrajom alebo polohovacej drážky monokryštálovej tyčinky. Povrch s vonkajším priemerom...Prečítajte si viac -
Procesy výroby vysoko kvalitných práškov SiC
Karbid kremíka (SiC) je anorganická zlúčenina známa svojimi výnimočnými vlastnosťami. Prirodzene sa vyskytujúci SiC, známy ako moissanit, je pomerne vzácny. V priemyselných aplikáciách sa karbid kremíka vyrába prevažne syntetickými metódami. V Semicera Semiconductor využívame pokročilé technológie...Prečítajte si viac -
Kontrola rovnomernosti radiálneho odporu počas ťahania kryštálu
Hlavnými dôvodmi ovplyvňujúcimi rovnomernosť radiálneho odporu monokryštálov sú rovinnosť rozhrania tuhá látka-kvapalina a efekt malej roviny počas rastu kryštálov Vplyv rovinnosti rozhrania tuhá látka-kvapalina Počas rastu kryštálov, ak sa tavenina rovnomerne mieša ,...Prečítajte si viac -
Prečo môže monokryštálová pec s magnetickým poľom zlepšiť kvalitu monokryštálu
Keďže téglik sa používa ako nádoba a vo vnútri je konvekcia, s rastúcou veľkosťou generovaného monokryštálu sa konvekcia tepla a rovnomernosť teplotného gradientu stávajú ťažšie kontrolovateľné. Pridaním magnetického poľa, aby vodivá tavenina pôsobila na Lorentzovu silu, môže byť konvekcia...Prečítajte si viac -
Rýchly rast monokryštálov SiC pomocou objemového zdroja CVD-SiC sublimačnou metódou
Rýchly rast monokryštálov SiC s použitím objemového zdroja CVD-SiC prostredníctvom metódy sublimácie Použitím recyklovaných blokov CVD-SiC ako zdroja SiC boli kryštály SiC úspešne pestované rýchlosťou 1,46 mm/h prostredníctvom metódy PVT. Hustota mikropipe a dislokácie pestovaného kryštálu naznačuje, že de...Prečítajte si viac -
Optimalizovaný a preložený obsah na zariadení na epitaxný rast z karbidu kremíka
Substráty z karbidu kremíka (SiC) majú množstvo defektov, ktoré bránia priamemu spracovaniu. Aby sa vytvorili doštičky čipov, musí sa na substráte SiC pomocou epitaxného procesu pestovať špecifický monokryštálový film. Tento film je známy ako epitaxná vrstva. Takmer všetky zariadenia SiC sú realizované na epitaxnej...Prečítajte si viac -
Kľúčová úloha a prípady použitia grafitových susceptorov potiahnutých SiC vo výrobe polovodičov
Semicera Semiconductor plánuje celosvetovo zvýšiť produkciu základných komponentov pre zariadenia na výrobu polovodičov. Do roku 2027 je naším cieľom založiť novú továreň s rozlohou 20 000 metrov štvorcových s celkovou investíciou 70 miliónov USD. Jeden z našich hlavných komponentov, doštička z karbidu kremíka (SiC)...Prečítajte si viac -
Prečo potrebujeme robiť epitaxiu na kremíkových doštičkových substrátoch?
V reťazci polovodičového priemyslu, najmä v priemyselnom reťazci polovodičov tretej generácie (polovodič so širokým pásmovým odstupom), existujú substráty a epitaxné vrstvy. Aký význam má epitaxná vrstva? Aký je rozdiel medzi substrátom a substrátom? Substr...Prečítajte si viac