-
Rada pre vedecké a technologické inovácie včera oznámila, že spoločnosť Huazhuo Precision Technology ukončila svoju IPO!
Práve oznámila dodanie prvého 8-palcového SIC laserového žíhacieho zariadenia v Číne, čo je tiež technológia Tsinghua; Prečo materiály stiahli sami? Len pár slov: Po prvé, produkty sú príliš rozmanité! Na prvý pohľad neviem, čo robia. V súčasnosti H...Prečítajte si viac -
CVD povlak z karbidu kremíka-2
CVD povlak z karbidu kremíka 1. Prečo existuje povlak z karbidu kremíka Epitaxná vrstva je špecifický monokryštálový tenký film narastený na základe doštičky prostredníctvom epitaxného procesu. Substrátový plátok a epitaxný tenký film sa súhrnne nazývajú epitaxné plátky. Medzi nimi aj...Prečítajte si viac -
Proces prípravy SIC povlaku
V súčasnosti metódy prípravy povlaku SiC zahŕňajú najmä metódu gél-sol, metódu zalievania, metódu nanášania štetcom, metódu plazmového striekania, metódu chemickej reakcie pár (CVR) a metódu chemického nanášania pár (CVD). Metóda zabudovaniaTáto metóda je druh vysokoteplotnej tuhej fázy ...Prečítajte si viac -
CVD povlak z karbidu kremíka-1
Čo je CVD SiC Chemická depozícia z plynnej fázy (CVD) je proces vákuovej depozície používaný na výrobu vysoko čistých pevných materiálov. Tento proces sa často používa v oblasti výroby polovodičov na vytváranie tenkých vrstiev na povrchu doštičiek. V procese prípravy SiC pomocou CVD je substrát exp...Prečítajte si viac -
Analýza dislokačnej štruktúry v kryštáli SiC pomocou simulácie sledovania lúčov s pomocou röntgenového topologického zobrazovania
Pozadie výskumu Aplikačný význam karbidu kremíka (SiC): Karbid kremíka ako polovodičový materiál so širokou šírkou pásma priťahuje veľkú pozornosť vďaka svojim vynikajúcim elektrickým vlastnostiam (ako je väčšia šírka pásma, vyššia rýchlosť saturácie elektrónov a tepelná vodivosť). Tieto rekvizity...Prečítajte si viac -
Proces prípravy očkovacích kryštálov pri raste monokryštálov SiC 3
Overenie rastu Očkovacie kryštály karbidu kremíka (SiC) boli pripravené podľa načrtnutého procesu a overené rastom kryštálov SiC. Použitou rastovou platformou bola samostatne vyvinutá SiC indukčná rastová pec s teplotou rastu 2200 ℃, rastovým tlakom 200 Pa a rastovou...Prečítajte si viac -
Proces prípravy zárodočných kryštálov v raste monokryštálov SiC (časť 2)
2. Experimentálny proces 2.1 Vytvrdzovanie adhezívneho filmu Bolo pozorované, že priame vytváranie uhlíkového filmu alebo spojenie grafitovým papierom na SiC doštičkách potiahnutých lepidlom viedlo k niekoľkým problémom: 1. Vo vákuových podmienkach sa adhezívny film na SiC doštičkách vyvinul vďaka šupinovému vzhľadu. podpísať sa...Prečítajte si viac -
Proces prípravy očkovacích kryštálov pri raste monokryštálov SiC
Materiál karbidu kremíka (SiC) má výhody širokého pásma, vysokej tepelnej vodivosti, vysokej kritickej intenzity prierazného poľa a vysokej rýchlosti driftu nasýtených elektrónov, vďaka čomu je veľmi sľubný v oblasti výroby polovodičov. Monokryštály SiC sa vo všeobecnosti vyrábajú prostredníctvom...Prečítajte si viac -
Aké sú metódy leštenia plátkov?
Zo všetkých procesov, ktoré sa podieľajú na vytváraní čipu, je konečným osudom plátku narezanie na jednotlivé matrice a zabalenie do malých uzavretých škatúľ s odkrytými iba niekoľkými kolíkmi. Čip bude hodnotený na základe jeho prahových hodnôt, odporu, prúdu a napätia, ale nikto nebude brať do úvahy ...Prečítajte si viac -
Základné predstavenie procesu epitaxného rastu SiC
Epitaxná vrstva je špecifický monokryštálový film pestovaný na plátku epitaxným procesom a substrátový plátok a epitaxný film sa nazývajú epitaxný plátok. Pestovaním epitaxnej vrstvy karbidu kremíka na vodivom substráte karbidu kremíka sa homogénna epitaxná vrstva karbidu kremíka...Prečítajte si viac -
Kľúčové body kontroly kvality procesu balenia polovodičov
Kľúčové body pre kontrolu kvality v procese balenia polovodičov Procesná technológia balenia polovodičov sa v súčasnosti výrazne zlepšila a optimalizovala. Z celkového pohľadu však procesy a metódy balenia polovodičov ešte nedosiahli najdokonalejšie...Prečítajte si viac -
Výzvy v procese balenia polovodičov
Súčasné techniky balenia polovodičov sa postupne zlepšujú, ale rozsah, v akom sú automatizované zariadenia a technológie prijímané v balení polovodičov, priamo určuje realizáciu očakávaných výsledkov. Existujúce procesy balenia polovodičov stále trpia...Prečítajte si viac