-
Proces výroby polovodičov – technológia leptania
Na premenu doštičky na polovodič sú potrebné stovky procesov. Jedným z najdôležitejších procesov je leptanie – teda vyrezávanie jemných obvodových vzorov na oblátku. Úspech procesu leptania závisí od riadenia rôznych premenných v rámci nastaveného distribučného rozsahu a každé leptanie...Prečítajte si viac -
Ideálny materiál pre ohniskové krúžky v zariadeniach na plazmové leptanie: Karbid kremíka (SiC)
V zariadeniach na plazmové leptanie zohrávajú rozhodujúcu úlohu keramické komponenty vrátane zaostrovacieho krúžku. Zaostrovací krúžok umiestnený okolo doštičky a v priamom kontakte s ňou je nevyhnutný na zaostrenie plazmy na doštičku privedením napätia na krúžok. To zvyšuje ne...Prečítajte si viac -
Vplyv spracovania monokryštálov karbidu kremíka na kvalitu povrchu plátku
Polovodičové napájacie zariadenia zaujímajú kľúčovú pozíciu vo výkonových elektronických systémoch, najmä v kontexte rýchleho rozvoja technológií, ako je umelá inteligencia, 5G komunikácia a nové energetické vozidlá, požiadavky na výkon na ne boli ...Prečítajte si viac -
Kľúčový materiál jadra pre rast SiC: povlak karbidu tantalu
V súčasnosti v tretej generácii polovodičov dominuje karbid kremíka. V štruktúre nákladov jeho zariadení predstavuje substrát 47 % a epitaxia predstavuje 23 %. Tieto dva spolu tvoria asi 70 %, čo je najdôležitejšia časť výroby zariadenia z karbidu kremíka...Prečítajte si viac -
Ako produkty potiahnuté karbidom tantalu zvyšujú odolnosť materiálov proti korózii?
Povlak karbidu tantalu je bežne používaná technológia povrchovej úpravy, ktorá môže výrazne zlepšiť odolnosť materiálov proti korózii. Povlak karbidu tantalu môže byť pripevnený k povrchu substrátu rôznymi metódami prípravy, ako je chemické nanášanie pár, fyzikálne ...Prečítajte si viac -
Rada pre vedecké a technologické inovácie včera oznámila, že spoločnosť Huazhuo Precision Technology ukončila svoju IPO!
Práve oznámila dodanie prvého 8-palcového SIC laserového žíhacieho zariadenia v Číne, čo je tiež technológia Tsinghua; Prečo materiály stiahli sami? Len pár slov: Po prvé, produkty sú príliš rozmanité! Na prvý pohľad neviem, čo robia. V súčasnosti H...Prečítajte si viac -
CVD povlak z karbidu kremíka-2
CVD povlak z karbidu kremíka 1. Prečo existuje povlak z karbidu kremíka Epitaxná vrstva je špecifický monokryštálový tenký film narastený na základe doštičky prostredníctvom epitaxného procesu. Substrátový plátok a epitaxný tenký film sa súhrnne nazývajú epitaxné plátky. Medzi nimi aj...Prečítajte si viac -
Proces prípravy SIC povlaku
V súčasnosti metódy prípravy povlaku SiC zahŕňajú najmä metódu gél-sol, metódu zalievania, metódu nanášania štetcom, metódu plazmového striekania, metódu chemickej reakcie pár (CVR) a metódu chemického nanášania pár (CVD). Metóda zabudovaniaTáto metóda je druh vysokoteplotnej tuhej fázy ...Prečítajte si viac -
CVD povlak z karbidu kremíka-1
Čo je CVD SiC Chemická depozícia z plynnej fázy (CVD) je proces vákuovej depozície používaný na výrobu vysoko čistých pevných materiálov. Tento proces sa často používa v oblasti výroby polovodičov na vytváranie tenkých vrstiev na povrchu doštičiek. V procese prípravy SiC pomocou CVD je substrát exp...Prečítajte si viac -
Analýza dislokačnej štruktúry v kryštáli SiC pomocou simulácie sledovania lúčov s pomocou röntgenového topologického zobrazovania
Pozadie výskumu Aplikačný význam karbidu kremíka (SiC): Karbid kremíka ako polovodičový materiál so širokou šírkou pásma priťahuje veľkú pozornosť vďaka svojim vynikajúcim elektrickým vlastnostiam (ako je väčšia šírka pásma, vyššia rýchlosť saturácie elektrónov a tepelná vodivosť). Tieto rekvizity...Prečítajte si viac -
Proces prípravy očkovacích kryštálov pri raste monokryštálov SiC 3
Overenie rastu Očkovacie kryštály karbidu kremíka (SiC) boli pripravené podľa načrtnutého procesu a overené rastom kryštálov SiC. Použitou rastovou platformou bola samostatne vyvinutá SiC indukčná rastová pec s teplotou rastu 2200 ℃, rastovým tlakom 200 Pa a rastovou...Prečítajte si viac -
Proces prípravy zárodočných kryštálov v raste monokryštálov SiC (časť 2)
2. Experimentálny proces 2.1 Vytvrdzovanie adhezívneho filmu Bolo pozorované, že priame vytváranie uhlíkového filmu alebo spojenie grafitovým papierom na SiC doštičkách potiahnutých lepidlom viedlo k niekoľkým problémom: 1. Vo vákuových podmienkach sa adhezívny film na SiC doštičkách vyvinul vďaka šupinovému vzhľadu. podpísať sa...Prečítajte si viac