Semicera 4" 6" poloizolačný SiC substrát je vysoko kvalitný materiál navrhnutý tak, aby spĺňal prísne požiadavky aplikácií RF a energetických zariadení. Substrát kombinuje vynikajúcu tepelnú vodivosť a vysoké prierazné napätie karbidu kremíka s poloizolačnými vlastnosťami, vďaka čomu je ideálnou voľbou pre vývoj pokročilých polovodičových zariadení.
4" 6" poloizolačný SiC substrát je starostlivo vyrobený, aby sa zabezpečila vysoká čistota materiálu a konzistentný poloizolačný výkon. To zaisťuje, že substrát poskytuje potrebnú elektrickú izoláciu v RF zariadeniach, ako sú zosilňovače a tranzistory, a zároveň poskytuje tepelnú účinnosť potrebnú pre aplikácie s vysokým výkonom. Výsledkom je všestranný substrát, ktorý možno použiť v širokej škále vysokovýkonných elektronických produktov.
Semicera si uvedomuje dôležitosť poskytovania spoľahlivých substrátov bez defektov pre kritické polovodičové aplikácie. Náš 4" 6" poloizolačný SiC substrát sa vyrába pomocou pokročilých výrobných techník, ktoré minimalizujú chyby kryštálov a zlepšujú rovnomernosť materiálu. To umožňuje produktu podporovať výrobu zariadení so zvýšeným výkonom, stabilitou a životnosťou.
Záväzok spoločnosti Semicera ku kvalite zaisťuje, že náš 4" 6" poloizolačný SiC substrát poskytuje spoľahlivý a konzistentný výkon v širokej škále aplikácií. Či už vyvíjate vysokofrekvenčné zariadenia alebo energeticky účinné riešenia napájania, naše poloizolačné SiC substráty poskytujú základ pre úspech elektroniky novej generácie.
Základné parametre
| Veľkosť | 6-palcový | 4-palcový |
| Priemer | 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm | 100,0 mm + 0 mm/-0,5 mm |
| Orientácia povrchu | {0001}±0,2° | |
| Primárna orientácia bytu | / | <1120>±5° |
| Sekundárna Orientácia bytu | / | Kremík lícom nahor: 90° CW od základnej plochy -5° |
| Primárna plochá dĺžka | / | 32,5 mm - 2,0 mm |
| Sekundárna plochá dĺžka | / | 18,0 mm až 2,0 mm |
| Orientácia zárezu | <1100>±1,0° | / |
| Orientácia zárezu | 1,0 mm + 0,25 mm/-0,00 mm | / |
| Uhol zárezu | 90°+5°/-1° | / |
| Hrúbka | 500,0 um až 25,0 um | |
| Vodivý typ | Poloizolačné | |
Informácie o kryštálovej kvalite
| ltem | 6-palcový | 4-palcový |
| Odpor | ≥1E9Q·cm | |
| Polytyp | Žiadne povolené | |
| Hustota mikropipe | ≤0,5/cm2 | ≤0,3/cm2 |
| Šesťhranné platne pri vysokej intenzite svetla | Žiadne povolené | |
| Vizuálne uhlíkové inklúzie podľa vysokej | Kumulatívna plocha ≤ 0,05 % | |
Odolnosť – Testované bezkontaktným odporom plechu.
Hustota mikropipe
