Úvod do povlaku z karbidu kremíka
Náš povlak z karbidu kremíka (SiC) s chemickou depozíciou z plynnej fázy (CVD) je vysoko trvanlivá vrstva odolná voči opotrebovaniu, ideálna pre prostredia vyžadujúce vysokú koróziu a tepelnú odolnosť.Povlak z karbidu kremíkasa nanáša v tenkých vrstvách na rôzne substráty prostredníctvom procesu CVD, čím ponúka vynikajúce výkonové charakteristiky.
Kľúčové vlastnosti
● -Výnimočná čistota: Môže sa pochváliť ultra čistým zložením99,99995 %, nášSiC povlakminimalizuje riziká kontaminácie v citlivých polovodičových operáciách.
● -Vynikajúca odolnosť: Vykazuje vynikajúcu odolnosť voči opotrebovaniu a korózii, vďaka čomu je ideálny pre náročné chemické a plazmové nastavenia.
● -Vysoká tepelná vodivosť: Zaisťuje spoľahlivý výkon pri extrémnych teplotách vďaka svojim vynikajúcim tepelným vlastnostiam.
● -Rozmerová stabilita: Zachováva štrukturálnu integritu v širokom rozsahu teplôt vďaka nízkemu koeficientu tepelnej rozťažnosti.
● -Zvýšená tvrdosť: S hodnotením tvrdosti40 GPanáš povlak SiC odolá značnému nárazu a oderu.
● - Hladká povrchová úprava: Poskytuje zrkadlový povrch, znižuje tvorbu častíc a zvyšuje prevádzkovú efektivitu.
Aplikácie
Semicera SiC povlakysa používajú v rôznych fázach výroby polovodičov, vrátane:
● -Výroba LED čipu
● -Výroba polysilikónu
● -Rast polovodičových kryštálov
● -Epitaxia kremíka a SiC
● -Tepelná oxidácia a difúzia (TO&D)
Dodávame komponenty potiahnuté SiC vyrobené z vysoko pevného izostatického grafitu, uhlíka vystuženého uhlíkovými vláknami a 4N rekryštalizovaného karbidu kremíka, prispôsobené pre reaktory s fluidným lôžkom,Konvertory STC-TCS, reflektory jednotiek CZ, čln SiC doštičky, lopatka SiCwafer, trubica SiC doštičky a nosiče doštičiek používané v procesoch PECVD, kremíkovej epitaxii, MOCVD.
Výhody
● -Predĺžená životnosť: Výrazne znižuje prestoje zariadenia a náklady na údržbu, čím zvyšuje celkovú efektivitu výroby.
● -Vylepšená kvalita: Dosahuje povrchy vysokej čistoty potrebné na spracovanie polovodičov, čím zvyšuje kvalitu produktu.
● - Zvýšená účinnosť: Optimalizuje tepelné a CVD procesy, výsledkom čoho sú kratšie časy cyklov a vyššie výťažky.
Technické špecifikácie
● -Štruktúra: FCC β fázový polykryštalický, prevažne (111) orientovaný
● -Hustota: 3,21 g/cm³
● -TvrdosťTvrdosť: 2500 Vickes (záťaž 500g)
● -Zlomová húževnatosť: 3,0 MPa·m1/2
● -Koeficient tepelnej rozťažnosti (100–600 °C): 4,3 x 10-6k-1
● -Elastický modul(1300 ℃):435 GPa
● -Typická hrúbka filmu:100 um
● -Drsnosť povrchu:2-10 um
Údaje o čistote (merané pomocou hmotnostnej spektroskopie so žeravým výbojom)
| Prvok | ppm | Prvok | ppm |
| Li | < 0,001 | Cu | < 0,01 |
| Be | < 0,001 | Zn | < 0,05 |
| Al | < 0,04 | Ga | < 0,01 |
| P | < 0,01 | Ge | < 0,05 |
| S | < 0,04 | As | < 0,005 |
| K | < 0,05 | In | < 0,01 |
| Ca | < 0,05 | Sn | < 0,01 |
| Ti | < 0,005 | Sb | < 0,01 |
| V | < 0,001 | W | < 0,05 |
| Cr | < 0,05 | Te | < 0,01 |
| Mn | < 0,005 | Pb | < 0,01 |
| Fe | < 0,05 | Bi | < 0,05 |
| Ni | < 0,01 |
|
