Prispôsobenie produktu karbidu tantalu vysokej čistoty

Prispôsobenie produktu z karbidu tantalu vysokej čistoty Odporúčaný obrázok

Krátky popis:

TaC povlak je nová generácia materiálu odolného voči vysokým teplotám, s lepšou stabilitou pri vysokých teplotách ako SiC, ako povlak odolný voči korózii, povlak odolný voči oxidácii, povlak odolný voči opotrebovaniu, môže byť použitý v prostredí nad 2000 ℃, široko používaný v leteckom a kozmickom priemysle. vysokoteplotné horúce koncové časti, tretia generácia rastu polovodičových monokryštálov a ďalšie polia.

Pošlite nám e-mail

Detail produktu

Štítky produktu

Semicera poskytuje špecializované povlaky karbidu tantalu (TaC) pre rôzne komponenty a nosiče.Semicera Semicera vedúci proces povlakovania umožňuje povlakom z karbidu tantalu (TaC) dosiahnuť vysokú čistotu, stabilitu pri vysokej teplote a vysokú chemickú toleranciu, čím sa zlepšuje kvalita produktu kryštálov SIC/GAN a EPI vrstiev (Grafitom potiahnutý TaC susceptor) a predĺženie životnosti kľúčových komponentov reaktora. Použitie povlaku karbidu tantalu TaC má vyriešiť problém s okrajmi a zlepšiť kvalitu rastu kryštálov a Semicera prelomovo vyriešila technológiu povlakovania karbidu tantalu (CVD), čím dosiahla medzinárodnú pokročilú úroveň.

Po rokoch vývoja si Semicera podmanila technológiuCVD TaCspoločným úsilím oddelenia výskumu a vývoja. Poruchy sa ľahko vyskytujú v procese rastu doštičiek SiC, ale po použitíTaC, rozdiel je značný. Nižšie je uvedené porovnanie doštičiek s a bez TaC, ako aj častí Semicera pre rast monokryštálov

Tac časť pre rast monokryštálov

Povlak karbidu tantalu proti opotrebeniu_ Chráni zariadenie pred opotrebovaním a koróziou Odporúčaný obrázok

Grafit s krúžkom potiahnutým TaC

s a bez TaC

Po použití TaC (vpravo)

Okrem toho životnosť produktov TaC povlaku Semicera je dlhšia a odolnejšia voči vysokej teplote ako povlaku SiC. Po dlhom čase laboratórnych meraní môže náš TaC dlhodobo pracovať pri maximálne 2300 stupňoch Celzia. Nižšie sú uvedené niektoré z našich vzoriek: