MOCVD susceptor pre epitaxný rast

Susceptor MOCVD pre epitaxný rast od semicera, popredné riešenie navrhnuté na optimalizáciu procesu epitaxného rastu pre pokročilé polovodičové aplikácie. Susceptor MOCVD od spoločnosti Semicera zaisťuje presnú kontrolu teploty a depozície materiálu, vďaka čomu je ideálnou voľbou na dosiahnutie vysokej kvality Si epitaxie a SiC epitaxie. Jeho robustná konštrukcia a vysoká tepelná vodivosť umožňujú konzistentný výkon v náročných prostrediach a zaisťujú spoľahlivosť potrebnú pre systémy epitaxiálneho rastu.

Tento MOCVD susceptor je kompatibilný s rôznymi epitaxnými aplikáciami, vrátane výroby monokryštalického kremíka a rastu GaN na SiC epitaxii, čo z neho robí základný komponent pre výrobcov, ktorí hľadajú špičkové výsledky. Okrem toho bezproblémovo spolupracuje so systémami PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier a RTP Carrier, čím sa zvyšuje efektivita procesu a výnos. Susceptor je tiež vhodný pre aplikácie LED Epitaxial Susceptor a ďalšie pokročilé procesy výroby polovodičov.

Vďaka svojej všestrannej konštrukcii možno susceptor MOCVD od spoločnosti Semicera prispôsobiť na použitie v pancake susceptoroch a sudových susceptoroch, čo ponúka flexibilitu v rôznych výrobných nastaveniach. Integrácia fotovoltaických dielov ďalej rozširuje jeho použitie, vďaka čomu je ideálny pre polovodičový aj solárny priemysel. Toto vysokovýkonné riešenie poskytuje vynikajúcu tepelnú stabilitu a odolnosť, čím zabezpečuje dlhodobú účinnosť v procesoch epitaxného rastu.