V dnešnej oblasti elektronických technológií zohrávajú polovodičové materiály kľúčovú úlohu.Medzi nimi karbid kremíka (SiC) ako polovodičový materiál so širokou pásmovou medzerou so svojimi vynikajúcimi výkonnostnými výhodami, ako je vysoké prierazné elektrické pole, vysoká rýchlosť saturácie, vysoká tepelná vodivosť atď., sa postupne stáva stredobodom záujmu výskumníkov a inžinierov.Epitaxný disk z karbidu kremíka, ako jeho dôležitá súčasť, preukázal veľký aplikačný potenciál.
一、výkon epiaxiálneho disku: všetky výhody
1. Elektrické pole s ultra vysokým prierazom: v porovnaní s tradičnými kremíkovými materiálmi je prierazné elektrické pole karbidu kremíka viac ako 10-násobné.To znamená, že pri rovnakých napäťových podmienkach môžu elektronické zariadenia využívajúce epitaxné disky z karbidu kremíka odolávať vyšším prúdom, čím vytvárajú vysokonapäťové, vysokofrekvenčné a vysokovýkonné elektronické zariadenia.
2. Rýchlosť sýtenia pri vysokej rýchlosti: rýchlosť sýtenia karbidu kremíka je viac ako 2-krát vyššia ako u kremíka.Epitaxný disk z karbidu kremíka, ktorý pracuje pri vysokej teplote a vysokej rýchlosti, funguje lepšie, čo výrazne zlepšuje stabilitu a spoľahlivosť elektronických zariadení.
3. Vysoká účinnosť tepelnej vodivosti: tepelná vodivosť karbidu kremíka je viac ako 3-krát vyššia ako tepelná vodivosť kremíka.Táto funkcia umožňuje elektronickým zariadeniam lepšie odvádzať teplo počas nepretržitej prevádzky s vysokým výkonom, čím zabraňuje prehriatiu a zvyšuje bezpečnosť zariadenia.
4. Vynikajúca chemická stabilita: v extrémnych prostrediach, ako je vysoká teplota, vysoký tlak a silné žiarenie, je výkon karbidu kremíka stále stabilný ako predtým.Táto funkcia umožňuje, aby si epitaxiálny disk z karbidu kremíka zachoval vynikajúci výkon v zložitých prostrediach.
二、výrobný proces: starostlivo vyrezávané
Medzi hlavné procesy výroby SIC epitaxného disku patrí fyzikálne nanášanie pár (PVD), chemické nanášanie pár (CVD) a epitaxiálny rast.Každý z týchto procesov má svoje vlastné charakteristiky a vyžaduje presnú kontrolu rôznych parametrov na dosiahnutie najlepších výsledkov.
1. Proces PVD: Naparovaním alebo naprašovaním a inými metódami sa terč SiC nanáša na substrát za vzniku filmu.Film pripravený týmto spôsobom má vysokú čistotu a dobrú kryštalinitu, ale rýchlosť výroby je relatívne nízka.
2. Proces CVD: Krakovaním zdrojového plynu karbidu kremíka pri vysokej teplote sa tento nanáša na substrát a vytvára tenký film.Hrúbka a rovnomernosť filmu pripraveného týmto spôsobom sú kontrolovateľné, ale čistota a kryštalinita sú slabé.
3. Epitaxný rast: rast epitaxnej vrstvy SiC na monokryštalickom kremíku alebo iných monokryštalických materiáloch metódou chemického nanášania pár.Epitaxná vrstva pripravená týmto spôsobom má dobrú zhodu a vynikajúci výkon so substrátovým materiálom, ale cena je relatívne vysoká.
三、Prospekt aplikácie: Osvetlite budúcnosť
S neustálym vývojom technológie výkonovej elektroniky a zvyšujúcim sa dopytom po vysokovýkonných a vysoko spoľahlivých elektronických zariadeniach má epitaxiálny disk z karbidu kremíka široké uplatnenie pri výrobe polovodičových zariadení.Je široko používaný pri výrobe vysokofrekvenčných vysokovýkonných polovodičových zariadení, ako sú výkonové elektronické spínače, invertory, usmerňovače atď. Okrem toho je tiež široko používaný v solárnych článkoch, LED a iných oblastiach.
Epitaxný disk z karbidu kremíka so svojimi jedinečnými výkonnostnými výhodami a neustálym zlepšovaním výrobného procesu postupne ukazuje svoj veľký potenciál v oblasti polovodičov.Máme dôvod domnievať sa, že v budúcnosti vedy a techniky bude hrať dôležitejšiu úlohu.
Čas odoslania: 28. novembra 2023