V súčasnosti sú spôsoby prípravy tzvSiC povlakzahŕňajú najmä metódu gél-sol, metódu zalievania, metódu nanášania štetcom, metódu plazmového striekania, metódu chemickej reakcie s plynom (CVR) a metódu chemického nanášania pár (CVD).
Spôsob vkladania:
Metóda je druh vysokoteplotného spekania tuhej fázy, ktorý využíva hlavne zmes Si prášku a C prášku ako zalievacieho prášku, grafitová matrica sa umiestni do zalievacieho prášku a spekanie pri vysokej teplote sa vykonáva v inertnom plyne. , a nakoniecSiC povlaksa získava na povrchu grafitovej matrice.Proces je jednoduchý a kombinácia medzi povlakom a substrátom je dobrá, ale rovnomernosť povlaku pozdĺž smeru hrúbky je zlá, čo ľahko vytvára viac otvorov a vedie k zlej odolnosti voči oxidácii.
Metóda nanášania štetcom:
Metóda nanášania štetcom spočíva hlavne v natieraní tekutej suroviny na povrch grafitovej matrice a následnom vytvrdzovaní suroviny pri určitej teplote na prípravu povlaku.Proces je jednoduchý a náklady sú nízke, ale povlak pripravený metódou nanášania štetcom je slabý v kombinácii so substrátom, rovnomernosť povlaku je zlá, povlak je tenký a odolnosť proti oxidácii je nízka a na pomoc sú potrebné iné metódy. to.
Metóda plazmového striekania:
Metóda plazmového striekania spočíva hlavne v striekaní roztavených alebo poloroztavených surovín na povrch grafitovej matrice plazmovou pištoľou a následnom stuhnutí a spojení za vzniku povlaku.Spôsob je jednoduchý na obsluhu a môže pripraviť relatívne hustý povlak karbidu kremíka, ale povlak karbidu kremíka pripravený týmto spôsobom je často príliš slabý a vedie k slabej odolnosti voči oxidácii, takže sa vo všeobecnosti používa na prípravu kompozitného povlaku SiC na zlepšenie kvalitu náteru.
Metóda gél-sol:
Metóda gél-sol spočíva hlavne v príprave rovnomerného a transparentného roztoku sólu pokrývajúceho povrch matrice, sušení na gél a následnom spekaní, aby sa získal povlak.Táto metóda je jednoduchá na obsluhu a nízku cenu, ale vyrobený povlak má niektoré nedostatky, ako je nízka odolnosť proti tepelným šokom a ľahké praskanie, takže sa nemôže široko používať.
Chemická reakcia plynov (CVR):
CVR hlavne generujeSiC povlakpomocou Si a SiO2 prášku na generovanie SiO pary pri vysokej teplote a na povrchu C materiálového substrátu dochádza k sérii chemických reakcií.TheSiC povlakpripravený týmto spôsobom je tesne spojený so substrátom, ale reakčná teplota je vyššia a cena je vyššia.
Chemická depozícia z pár (CVD):
V súčasnosti je hlavnou technológiou prípravy CVDSiC povlakna povrchu substrátu.Hlavným procesom je séria fyzikálnych a chemických reakcií reaktantu v plynnej fáze na povrchu substrátu a nakoniec sa povlak SiC pripraví nanesením na povrch substrátu.Povlak SiC pripravený technológiou CVD je tesne spojený s povrchom substrátu, čo môže účinne zlepšiť odolnosť proti oxidácii a ablatívnu odolnosť materiálu substrátu, ale čas nanášania tejto metódy je dlhší a reakčný plyn má určitú toxicitu plynu.
Čas uverejnenia: 6. novembra 2023