CVD hromadný karbid kremíka (SiC)
Prehľad:CVDobjemový karbid kremíka (SiC)je veľmi žiadaný materiál v zariadeniach na plazmové leptanie, v aplikáciách rýchleho tepelného spracovania (RTP) a iných procesoch výroby polovodičov. Jeho výnimočné mechanické, chemické a tepelné vlastnosti z neho robia ideálny materiál pre pokročilé technologické aplikácie, ktoré vyžadujú vysokú presnosť a odolnosť.
Aplikácie CVD Bulk SiC:Hromadný SiC je rozhodujúci v polovodičovom priemysle, najmä v systémoch plazmového leptania, kde komponenty ako zaostrovacie krúžky, plynové sprchové hlavice, okrajové krúžky a dosky ťažia z vynikajúcej odolnosti SiC proti korózii a tepelnej vodivosti. Jeho použitie sa rozširuje naRTPsystémy vďaka schopnosti SiC odolávať rýchlym teplotným výkyvom bez výraznej degradácie.
Okrem leptacieho zariadenia, CVDhromadný SiCje uprednostňovaný v difúznych peciach a procesoch rastu kryštálov, kde sa vyžaduje vysoká tepelná stabilita a odolnosť voči drsnému chemickému prostrediu. Vďaka týmto vlastnostiam je SiC materiálom voľby pre vysoko náročné aplikácie zahŕňajúce vysoké teploty a korozívne plyny, ako sú plyny obsahujúce chlór a fluór.
Výhody CVD Bulk SiC komponentov:
•Vysoká hustota:S hustotou 3,2 g/cm³,CVD hromadný SiCkomponenty sú vysoko odolné voči opotrebovaniu a mechanickým vplyvom.
•Vynikajúca tepelná vodivosť:Objemový SiC, ktorý ponúka tepelnú vodivosť 300 W/m·K, efektívne riadi teplo, vďaka čomu je ideálny pre komponenty vystavené extrémnym tepelným cyklom.
•Výnimočná chemická odolnosť:Nízka reaktivita SiC s leptacími plynmi vrátane chemikálií na báze chlóru a fluóru zaisťuje predĺženú životnosť komponentov.
•Nastaviteľný odpor: CVD hromadné SiCmerný odpor je možné prispôsobiť v rozsahu 10⁻²–10⁴ Ω-cm, vďaka čomu sa prispôsobí špecifickým potrebám leptania a výroby polovodičov.
•Koeficient tepelnej rozťažnosti:S koeficientom tepelnej rozťažnosti 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000 °C) CVD objemový SiC odoláva teplotným šokom a zachováva si rozmerovú stabilitu aj počas rýchlych cyklov zahrievania a chladenia.
•Trvanlivosť v plazme:Vystavenie plazme a reaktívnym plynom je pri polovodičových procesoch nevyhnutné, aleCVD hromadný SiCponúka vynikajúcu odolnosť proti korózii a degradácii, znižuje frekvenciu výmeny a celkové náklady na údržbu.
Technické špecifikácie:
•Priemer:Väčšie ako 305 mm
•Odpor:Nastaviteľné v rozsahu 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Hustota:3,2 g/cm³
•Tepelná vodivosť:300 W/m·K
•Koeficient tepelnej rozťažnosti:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000 °C)
Prispôsobenie a flexibilita:OSemicera Semiconductor, chápeme, že každá polovodičová aplikácia môže vyžadovať iné špecifikácie. To je dôvod, prečo sú naše komponenty CVD hromadné SiC plne prispôsobiteľné, s nastaviteľným odporom a prispôsobenými rozmermi tak, aby vyhovovali potrebám vášho zariadenia. Či už optimalizujete svoje systémy plazmového leptania alebo hľadáte odolné komponenty v RTP alebo difúznych procesoch, náš CVD objemový SiC poskytuje bezkonkurenčný výkon.
