Naša spoločnosť poskytujeSiC povlakprocesné služby na povrchu grafitu, keramiky a iných materiálov metódou CVD, takže špeciálne plyny obsahujúce uhlík a kremík môžu reagovať pri vysokej teplote a získať vysoko čisté molekuly Sic, ktoré sa môžu ukladať na povrch potiahnutých materiálov za vznikuSiC ochranná vrstvapre epitaxiu sudový typ hy pnotic.
Hlavné vlastnosti:
1. Vysoko čistý grafit pokrytý SiC
2. Vynikajúca tepelná odolnosť a tepelná rovnomernosť
3. DobreKryštály SiC potiahnutépre hladký povrch
4. Vysoká odolnosť proti chemickému čisteniu
Hlavné špecifikácieCVD-SIC povlak
| Vlastnosti SiC-CVD | ||
| Kryštálová štruktúra | FCC β fáza | |
| Hustota | g/cm³ | 3.21 |
| Tvrdosť | Tvrdosť podľa Vickersa | 2500 |
| Veľkosť zrna | μm | 2~10 |
| Chemická čistota | % | 99,99995 |
| Tepelná kapacita | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Teplota sublimácie | ℃ | 2700 |
| Felexurálna sila | MPa (RT 4-bodové) | 415 |
| Youngov modul | Gpa (4pt ohyb, 1300 ℃) | 430 |
| Tepelná expanzia (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Tepelná vodivosť | (W/mK) | 300 |
-
Vysokoteplotný epitaxný reaktor s povlakom SiC B...
-
Hlaveň epitaxného reaktora potiahnutá karbidom kremíka
-
Vysoko čistý práškový polovodičový karbid kremíka...
-
Poskytnite pokročilú technológiu LMJ microjet laser ...
-
SiC povlak Indukčne vyhrievaný sud Epi systém
-
Nosiče grafitových plátkov potiahnuté karbidom kremíka