Silikónový film

Krátky popis:

Silicon Film od Semicera je vysoko výkonný materiál navrhnutý pre rôzne pokročilé aplikácie v polovodičovom a elektronickom priemysle. Táto fólia vyrobená z vysokokvalitného kremíka ponúka výnimočnú rovnomernosť, tepelnú stabilitu a elektrické vlastnosti, vďaka čomu je ideálnym riešením pre nanášanie tenkých vrstiev, MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) a výrobu polovodičových zariadení.


Detail produktu

Štítky produktu

Silicon Film od Semicera je vysoko kvalitný, precízne skonštruovaný materiál navrhnutý tak, aby spĺňal prísne požiadavky polovodičového priemyslu. Toto tenkovrstvové riešenie, vyrobené z čistého kremíka, ponúka vynikajúcu rovnomernosť, vysokú čistotu a výnimočné elektrické a tepelné vlastnosti. Je ideálny na použitie v rôznych polovodičových aplikáciách, vrátane výroby Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate a Epi-Wafer. Silikónový film spoločnosti Semicera zaisťuje spoľahlivý a konzistentný výkon, vďaka čomu je základným materiálom pre pokročilú mikroelektroniku.

Špičková kvalita a výkon pre výrobu polovodičov

Silikónový film spoločnosti Semicera je známy svojou vynikajúcou mechanickou pevnosťou, vysokou tepelnou stabilitou a nízkou chybovosťou, ktoré sú rozhodujúce pri výrobe vysokovýkonných polovodičov. Či už sa používa pri výrobe zariadení s oxidom gálím (Ga2O3), AlN Wafer alebo Epi-Wafers, film poskytuje silný základ pre nanášanie tenkých vrstiev a epitaxný rast. Jeho kompatibilita s inými polovodičovými substrátmi, ako je SiC Substrate a SOI Wafers, zaisťuje bezproblémovú integráciu do existujúcich výrobných procesov, čo pomáha udržiavať vysoké výnosy a konzistentnú kvalitu produktu.

Aplikácie v polovodičovom priemysle

V polovodičovom priemysle sa silikónová fólia spoločnosti Semicera využíva v širokej škále aplikácií, od výroby Si Wafer a SOI Wafer až po špecializovanejšie použitia, ako je vytváranie SiN Substrate a Epi-Wafer. Vysoká čistota a presnosť tohto filmu ho robí nevyhnutným pri výrobe pokročilých komponentov používaných vo všetkom od mikroprocesorov a integrovaných obvodov až po optoelektronické zariadenia.

Silikónový film hrá rozhodujúcu úlohu v polovodičových procesoch, ako je epitaxný rast, spájanie plátkov a nanášanie tenkých vrstiev. Jeho spoľahlivé vlastnosti sú obzvlášť cenné pre priemyselné odvetvia, ktoré vyžadujú prísne kontrolované prostredie, ako sú čisté priestory v továrňach na výrobu polovodičov. Okrem toho je možné silikónovú fóliu integrovať do kazetových systémov pre efektívnu manipuláciu a prepravu plátkov počas výroby.

Dlhodobá spoľahlivosť a dôslednosť

Jednou z kľúčových výhod používania silikónovej fólie Semicera je jej dlhodobá spoľahlivosť. Vďaka svojej vynikajúcej odolnosti a konzistentnej kvalite poskytuje táto fólia spoľahlivé riešenie pre prostredie s veľkým objemom výroby. Či už sa používa vo vysoko presných polovodičových zariadeniach alebo v pokročilých elektronických aplikáciách, silikónová fólia spoločnosti Semicera zaisťuje, že výrobcovia môžu dosiahnuť vysoký výkon a spoľahlivosť v rámci širokej škály produktov.

Prečo si vybrať silikónovú fóliu Semicera?

Silikónový film od spoločnosti Semicera je základným materiálom pre špičkové aplikácie v polovodičovom priemysle. Jeho vysokovýkonné vlastnosti vrátane vynikajúcej tepelnej stability, vysokej čistoty a mechanickej pevnosti z neho robia ideálnu voľbu pre výrobcov, ktorí chcú dosiahnuť najvyššie štandardy vo výrobe polovodičov. Od Si Wafer a SiC Substrát až po výrobu zariadení s oxidom gália Ga2O3, táto fólia poskytuje bezkonkurenčnú kvalitu a výkon.

So silikónovým filmom Semicera sa môžete spoľahnúť na produkt, ktorý spĺňa potreby modernej výroby polovodičov a poskytuje spoľahlivý základ pre ďalšiu generáciu elektroniky.

Položky

Výroba

Výskum

Dummy

Parametre kryštálu

Polytyp

4H

Chyba orientácie povrchu

<11-20 >4±0,15°

Elektrické parametre

Dopant

dusík typu n

Odpor

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanické parametre

Priemer

150,0 ± 0,2 mm

Hrúbka

350±25 μm

Primárna orientácia bytu

[1-100] ± 5°

Primárna plochá dĺžka

47,5 ± 1,5 mm

Vedľajší byt

žiadne

TTV

≤ 5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤ 3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤ 10 μm (5 mm x 5 mm)

Poklona

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Predná (Si-face) drsnosť (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Štruktúra

Hustota mikropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Kovové nečistoty

≤5E10atómov/cm2

NA

BPD

≤ 1500 ea/cm2

≤ 3000 ea/cm2

NA

TSD

≤ 500 ea/cm2

≤ 1000 ea/cm2

NA

Predná kvalita

Predné

Si

Povrchová úprava

Si-face CMP

Častice

≤ 60 ea/wafer (veľkosť ≥ 0,3 μm)

NA

Škrabance

≤5 ea/mm. Kumulatívna dĺžka ≤ Priemer

Kumulatívna dĺžka ≤ 2 * Priemer

NA

Pomarančová kôra/jamky/škvrny/ryhy/praskliny/kontaminácia

žiadne

NA

Hranové triesky/vruby/lomy/šesťhranné platne

žiadne

Polytypové oblasti

žiadne

Kumulatívna plocha ≤ 20 %

Kumulatívna plocha ≤ 30 %

Predné laserové označenie

žiadne

Kvalita chrbta

Zadná úprava

C-tvár CMP

Škrabance

≤ 5 ea / mm, Kumulatívna dĺžka ≤ 2 * Priemer

NA

Chyby na zadnej strane (okrajové úlomky/preliačiny)

žiadne

Drsnosť chrbta

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Zadné laserové značenie

1 mm (od horného okraja)

Edge

Edge

Skosenie

Balenie

Balenie

Epi-ready s vákuovým balením

Balenie kaziet s viacerými oblátkami

*Poznámky: "NA" znamená bez požiadavky. Položky, ktoré nie sú uvedené, môžu odkazovať na SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC doštičky

  • Predchádzajúce:
  • Ďalej: