CVD SiC povlak

Úvod do povlaku z karbidu kremíka 

Náš povlak z karbidu kremíka (SiC) s chemickou depozíciou z plynnej fázy (CVD) je vysoko trvanlivá vrstva odolná voči opotrebovaniu, ideálna pre prostredia vyžadujúce vysokú koróziu a tepelnú odolnosť.Povlak z karbidu kremíkasa nanáša v tenkých vrstvách na rôzne substráty prostredníctvom procesu CVD, čím ponúka vynikajúce výkonové charakteristiky.


Kľúčové vlastnosti

       ● -Výnimočná čistota: Môže sa pochváliť ultra čistým zložením99,99995 %, nášSiC povlakminimalizuje riziká kontaminácie v citlivých polovodičových operáciách.

● -Vynikajúca odolnosť: Vyznačuje sa vynikajúcou odolnosťou voči opotrebovaniu a korózii, vďaka čomu je ideálny pre náročné chemické a plazmové nastavenia.
● -Vysoká tepelná vodivosť: Zaisťuje spoľahlivý výkon pri extrémnych teplotách vďaka svojim vynikajúcim tepelným vlastnostiam.
● -Rozmerová stabilita: Zachováva štrukturálnu integritu v širokom rozsahu teplôt vďaka nízkemu koeficientu tepelnej rozťažnosti.
● -Zvýšená tvrdosť: S hodnotením tvrdosti40 GPanáš povlak SiC odolá značnému nárazu a oderu.
● - Hladká povrchová úprava: Poskytuje zrkadlový povrch, znižuje tvorbu častíc a zvyšuje prevádzkovú efektivitu.


Aplikácie

Semicera SiC povlakysa používajú v rôznych fázach výroby polovodičov, vrátane:

● -Výroba LED čipu
● -Výroba polysilikónu
● -Rast polovodičových kryštálov
● -Epitaxia kremíka a SiC
● -Tepelná oxidácia a difúzia (TO&D)

 

Dodávame komponenty potiahnuté SiC vyrobené z vysoko pevného izostatického grafitu, uhlíka vystuženého uhlíkovými vláknami a 4N rekryštalizovaného karbidu kremíka, prispôsobené pre reaktory s fluidným lôžkom,Konvertory STC-TCS, reflektory jednotiek CZ, čln SiC doštičky, lopatka SiCwafer, trubica SiC doštičky a nosiče doštičiek používané v procesoch PECVD, kremíkovej epitaxii, MOCVD.


Výhody

● -Predĺžená životnosť: Výrazne znižuje prestoje zariadenia a náklady na údržbu, čím zvyšuje celkovú efektivitu výroby.
● -Vylepšená kvalita: Dosahuje povrchy vysokej čistoty potrebné na spracovanie polovodičov, čím zvyšuje kvalitu produktu.
● - Zvýšená účinnosť: Optimalizuje tepelné a CVD procesy, výsledkom čoho sú kratšie časy cyklov a vyššie výťažky.


Technické špecifikácie
     

● -Štruktúra: FCC β fázový polykryštalický, prevažne (111) orientovaný
● -Hustota: 3,21 g/cm³
● -TvrdosťTvrdosť: 2500 Vickes (záťaž 500g)
● -Húževnatosť proti lomu: 3,0 MPa·m1/2
● -Koeficient tepelnej rozťažnosti (100–600 °C): 4,3 x 10-6k-1
● -Elastický modul(1300 ℃):435 GPa
● -Typická hrúbka filmu:100 um
● -Drsnosť povrchu:2-10 um


Údaje o čistote (merané pomocou hmotnostnej spektroskopie so žeravým výbojom)

Prvok

ppm

Prvok

ppm

Li

< 0,001

Cu

< 0,01

Be

< 0,001

Zn

< 0,05

Al

< 0,04

Ga

< 0,01

P

< 0,01

Ge

< 0,05

S

< 0,04

As

< 0,005

K

< 0,05

In

< 0,01

Ca

< 0,05

Sn

< 0,01

Ti

< 0,005

Sb

< 0,01

V

< 0,001

W

< 0,05

Cr

< 0,05

Te

< 0,01

Mn

< 0,005

Pb

< 0,01

Fe

< 0,05

Bi

< 0,05

Ni

< 0,01

 

 
Využitím špičkovej technológie CVD ponúkame šité na mieruSiC povlakové roztokyuspokojiť dynamické potreby našich klientov a podporiť pokroky vo výrobe polovodičov.