Popis
Naša spoločnosť poskytujeSiC povlakprocesné služby metódou CVD na povrchu grafitu, keramiky a iných materiálov tak, že špeciálne plyny obsahujúce uhlík a kremík reagujú pri vysokej teplote za vzniku vysoko čistých molekúl SiC, molekúl usadených na povrchu poťahovaných materiálov,SIC ochranná vrstva.
Hlavné rysy
1. Odolnosť proti oxidácii pri vysokej teplote:
odolnosť proti oxidácii je stále veľmi dobrá, keď je teplota až 1600 C.
2. Vysoká čistota: vyrobená chemickou depozíciou pár pri vysokej teplote chlorácie.
3. Odolnosť proti erózii: vysoká tvrdosť, kompaktný povrch, jemné častice.
4. Odolnosť proti korózii: kyselinám, zásadám, soliam a organickým činidlám.
Hlavné špecifikácie povlaku CVD-SIC
| Vlastnosti SiC-CVD | ||
| Kryštálová štruktúra | FCC β fáza | |
| Hustota | g/cm³ | 3.21 |
| Tvrdosť | Tvrdosť podľa Vickersa | 2500 |
| Veľkosť zrna | μm | 2~10 |
| Chemická čistota | % | 99,99995 |
| Tepelná kapacita | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Teplota sublimácie | ℃ | 2700 |
| Felexurálna sila | MPa (RT 4-bodové) | 415 |
| Youngov modul | Gpa (4pt ohyb, 1300 ℃) | 430 |
| Tepelná expanzia (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Tepelná vodivosť | (W/mK) | 300 |
-
Sudový susceptor potiahnutý karbidom kremíka
-
Grafitový ohrievač s dlhou životnosťou SIC pre MOCVD ...
-
Porézny karbid tantalu, materiál horúceho poľa pre...
-
36 kusov 4-palcovej grafitovej základne MOCVD výbavy...
-
Grafitový susceptor s povlakom z karbidu kremíka...
-
Hlaveň epitaxného reaktora potiahnutá karbidom kremíka