Maximalizujte výťažok a výkon so špičkovým sudovým reaktorom Semi-ceras

Maximalizujte výťažok a výkon pomocou špičkového barelového reaktora Semi-ceras

Krátky popis:

Semicera ponúka komplexný rad susceptorov a grafitových komponentov navrhnutých pre rôzne epitaxné reaktory.

Prostredníctvom strategických partnerstiev s poprednými výrobcami OEM, rozsiahlymi odbornými znalosťami v oblasti materiálov a pokročilými výrobnými schopnosťami dodáva Semicera návrhy na mieru, aby vyhovovali špecifickým požiadavkám vašej aplikácie. Náš záväzok k dokonalosti zaisťuje, že dostanete optimálne riešenia pre potreby vášho epitaxného reaktora.

Pošlite nám e-mail

Detail produktu

Štítky produktu

Naša spoločnosť poskytujeSiC povlakprocesné služby na povrchu grafitu, keramiky a iných materiálov metódou CVD, takže špeciálne plyny obsahujúce uhlík a kremík môžu reagovať pri vysokej teplote a získať vysoko čisté molekuly Sic, ktoré sa môžu ukladať na povrch potiahnutých materiálov za vznikuSiC ochranná vrstvapre epitaxiu sudový typ hy pnotic.

Hlavné vlastnosti:

1. Vysoko čistý grafit pokrytý SiC

2. Vynikajúca tepelná odolnosť a tepelná rovnomernosť

3. DobreKryštály SiC potiahnutépre hladký povrch

4. Vysoká odolnosť proti chemickému čisteniu

Maximalizujte výťažok a výkon so špičkovým sudovým reaktorom Semi-ceras

Hlavné špecifikácieCVD-SIC povlak

Vlastnosti SiC-CVD
Kryštálová štruktúra	FCC β fáza
Hustota	g/cm³	3.21
Tvrdosť	Tvrdosť podľa Vickersa	2500
Veľkosť zrna	μm	2~10
Chemická čistota	%	99,99995
Tepelná kapacita	J·kg-1 ·K-1	640
Teplota sublimácie	℃	2700
Felexurálna sila	MPa (RT 4-bodové)	415
Youngov modul	Gpa (4pt ohyb, 1300 ℃)	430
Tepelná expanzia (CTE)	10-6K-1	4.5
Tepelná vodivosť	(W/mK)	300