Proces s povlakom SiC pre grafitové nosiče s povlakom SiC

Pri aplikácii zachovávame veľmi úzke tolerancieSiC povlak, s použitím vysoko presného obrábania na zabezpečenie jednotného profilu susceptora.Vyrábame aj materiály s ideálnymi vlastnosťami elektrického odporu pre použitie v indukčne vyhrievaných systémoch.Všetky hotové komponenty sú dodávané s certifikátom čistoty a rozmerovej zhody.

Naša spoločnosť poskytujeSiC povlakprocesné služby metódou CVD na povrchu grafitu, keramiky a iných materiálov tak, že špeciálne plyny s obsahom uhlíka a kremíka reagujú pri vysokej teplote za vzniku vysoko čistých molekúl SiC, molekúl usadených na povrchu poťahovaných materiálov, tvoriacich ochrannú vrstvu SIC.Vytvorený SIC je pevne spojený s grafitovým základom, čo dáva grafitovému základu špeciálne vlastnosti, vďaka čomu je povrch grafitu kompaktný, bez pórovitosti, odolný voči vysokej teplote, korózii a oxidácii.

Proces CVD poskytuje extrémne vysokú čistotu a teoretickú hustotuSiC povlakbez pórovitosti.Navyše, keďže karbid kremíka je veľmi tvrdý, dá sa vyleštiť do zrkadlového povrchu.CVD povlak z karbidu kremíka (SiC).priniesol niekoľko výhod vrátane ultra vysokej čistoty povrchu a extrémnej odolnosti proti opotrebovaniu.Pretože potiahnuté produkty majú skvelý výkon vo vysokom vákuu a pri vysokej teplote, sú ideálne pre aplikácie v polovodičovom priemysle a inom ultračistom prostredí.Poskytujeme tiež produkty z pyrolytického grafitu (PG).