Grafitový susceptor s povlakom z karbidu kremíka, zásobník na sud

Stručný opis:

Semicera ponúka komplexný rad susceptorov a grafitových komponentov navrhnutých pre rôzne epitaxné reaktory.

Prostredníctvom strategických partnerstiev s poprednými výrobcami OEM, rozsiahlymi odbornými znalosťami v oblasti materiálov a pokročilými výrobnými schopnosťami dodáva Semicera návrhy na mieru, aby vyhovovali špecifickým požiadavkám vašej aplikácie.Náš záväzok k dokonalosti zaisťuje, že dostanete optimálne riešenia pre potreby vášho epitaxného reaktora.

Pošlite nám e-mail

Detail produktu

Štítky produktu

Popis

Naša spoločnosť poskytuje služby procesu poťahovania SiC metódou CVD na povrchu grafitu, keramiky a iných materiálov tak, že špeciálne plyny s obsahom uhlíka a kremíka reagujú pri vysokej teplote za vzniku vysoko čistých molekúl SiC, molekúl usadených na povrchu poťahovaných materiálov, vytvára ochrannú vrstvu SIC.

asi (1)

asi (2)

Hlavné rysy

1. Vysoko čistý grafit pokrytý SiC

2. Vynikajúca tepelná odolnosť a tepelná rovnomernosť

3. Jemný kryštál SiC potiahnutý pre hladký povrch

4. Vysoká odolnosť proti chemickému čisteniu

Hlavné špecifikácie povlaku CVD-SIC

Vlastnosti SiC-CVD
Kryštálová štruktúra	FCC β fáza
Hustota	g/cm³	3.21
Tvrdosť	Tvrdosť podľa Vickersa	2500
Veľkosť zrna	μm	2~10
Chemická čistota	%	99,99995
Tepelná kapacita	J·kg-1 ·K-1	640
Teplota sublimácie	℃	2700
Felexurálna sila	MPa (RT 4-bodové)	415
Youngov modul	Gpa (4pt ohyb, 1300 ℃)	430
Tepelná expanzia (CTE)	10-6K-1	4.5
Tepelná vodivosť	(W/mK)	300