Leptacie krúžky z karbidu kremíka (SiC), ktoré ponúka Semicera, sa vyrábajú metódou chemickej depozície z plynnej fázy (CVD) a sú vynikajúcim výsledkom v oblasti aplikácií v procese presného leptania. Tieto leptacie krúžky z karbidu kremíka (SiC) sú známe svojou vynikajúcou tvrdosťou, tepelnou stabilitou a odolnosťou proti korózii a vynikajúcu kvalitu materiálu zabezpečuje CVD syntéza.
Robustná štruktúra a jedinečné vlastnosti materiálu, ktoré sú navrhnuté špeciálne pre procesy leptania, zohrávajú kľúčovú úlohu pri dosahovaní presnosti a spoľahlivosti. Na rozdiel od tradičných materiálov má pevný komponent SiC bezkonkurenčnú trvanlivosť a odolnosť proti opotrebovaniu, čo z neho robí nenahraditeľný komponent v odvetviach, ktoré vyžadujú presnosť a dlhú životnosť.
Naše leptacie krúžky z karbidu kremíka (SiC) sú vyrobené precízne a s kontrolou kvality, aby sa zabezpečil ich vynikajúci výkon a spoľahlivosť. Či už ide o výrobu polovodičov alebo iné príbuzné oblasti, tieto leptacie krúžky z karbidu kremíka (SiC) môžu poskytnúť stabilný leptací výkon a vynikajúce výsledky leptania.
Ak máte záujem o náš leptací krúžok z karbidu kremíka (SiC), kontaktujte nás. Náš tím vám poskytne podrobné informácie o produkte a profesionálnu technickú podporu, aby vyhovoval vašim potrebám. Tešíme sa na nadviazanie dlhodobého partnerstva s vami a na spoločnú podporu rozvoja tohto odvetvia.
✓Najvyššia kvalita na čínskom trhu
✓ Dobré služby vždy pre vás, 7 * 24 hodín
✓Krátky termín dodania
✓Malé MOQ vítané a akceptované
✓Vlastné služby
Susceptor rastu epitaxie
Doštičky kremíka/karbidu kremíka musia prejsť viacerými procesmi, aby sa mohli použiť v elektronických zariadeniach. Dôležitým procesom je epitaxia kremík/sic, pri ktorej sú kremíkové/sic doštičky nesené na grafitovom základe. Špeciálne výhody grafitovej základne potiahnutej karbidom kremíka Semicera zahŕňajú extrémne vysokú čistotu, rovnomerný povlak a extrémne dlhú životnosť. Majú tiež vysokú chemickú odolnosť a tepelnú stabilitu.
Výroba LED čipov
Počas rozsiahleho poťahovania MOCVD reaktora planétová základňa alebo nosič pohybuje substrátovým plátkom. Výkon základného materiálu má veľký vplyv na kvalitu povlaku, čo následne ovplyvňuje mieru šrotu triesky. Základňa Semicera potiahnutá karbidom kremíka zvyšuje efektivitu výroby vysokokvalitných LED doštičiek a minimalizuje odchýlku vlnovej dĺžky. Dodávame tiež ďalšie grafitové komponenty pre všetky momentálne používané reaktory MOCVD. Môžeme potiahnuť takmer akýkoľvek komponent povlakom z karbidu kremíka, aj keď je priemer komponentu do 1,5 M, stále môžeme potiahnuť karbidom kremíka.
Polovodičové pole, oxidačný difúzny proces, atď.
V polovodičovom procese si proces oxidačnej expanzie vyžaduje vysokú čistotu produktu a v Semicera ponúkame zákazkové a CVD povlakové služby pre väčšinu dielov z karbidu kremíka.
Nasledujúci obrázok zobrazuje hrubo spracovanú suspenziu karbidu kremíka zo Semicea a rúru pece z karbidu kremíka, ktorá sa čistí v 1000-úroveňbezprašnýmiestnosť. Naši pracovníci pracujú pred náterom. Čistota nášho karbidu kremíka môže dosiahnuť 99,99% a čistota sic povlaku je väčšia ako 99,99995%.
Lopatka zo surového karbidu kremíka a procesná trubica SiC v čistení
Čln z karbidu kremíka s povlakom CVD SiC
