Deep UV LED MOCVD grafitový susceptor potiahnutý TaC

TaC Coated Deep UV LED MOCVD grafitový susceptor Odporúčaný obrázok

Krátky popis:

Hlboký UV LED MOCVD grafitový susceptor s povlakom TaC od spoločnosti Semicera je navrhnutý pre vynikajúci výkon v aplikáciách MOCVD epitaxe. Vyrobené v Číne, ponúka zvýšenú trvanlivosť a vyššiu teplotnú odolnosť, vďaka čomu je ideálny do náročných podmienok. Pokročilá technológia povrchovej úpravy Semicera zaisťuje spoľahlivú a efektívnu prevádzku a podporuje vysokokvalitnú produkciu Deep UV LED.

Pošlite nám e-mail

Detail produktu

Štítky produktu

potiahnutá TaChlboká ultrafialová LED grafitová základňa označuje proces zlepšovania výkonu a stability zariadenia ukladaním aTaC povlakna grafitovom základe pri príprave hlbokého ultrafialového LED zariadenia. Tento povlak môže zlepšiť výkon odvádzania tepla, odolnosť voči vysokej teplote a odolnosť voči oxidácii zariadenia, čím sa zlepší účinnosť a spoľahlivosť zariadenia LED. Hlboké ultrafialové LED zariadenia sa zvyčajne používajú v niektorých špeciálnych oblastiach, ako je dezinfekcia, vytvrdzovanie svetlom atď., Ktoré majú vysoké požiadavky na stabilitu a výkon zariadenia. AplikáciaGrafit potiahnutý TaCzákladňa môže účinne zvýšiť odolnosť a výkon zariadenia a poskytnúť dôležitú podporu pre vývoj technológie hlbokých ultrafialových LED.

Semicera poskytuje špecializované povlaky karbidu tantalu (TaC) pre rôzne komponenty a nosiče.Popredný proces povlakovania Semicera umožňuje povlakom z karbidu tantalu (TaC) dosiahnuť vysokú čistotu, stabilitu pri vysokej teplote a vysokú chemickú toleranciu, čím sa zlepšuje kvalita produktu kryštálov SIC/GAN a vrstiev EPI (Grafitom potiahnutý TaC susceptor) a predĺženie životnosti kľúčových komponentov reaktora. Použitie povlaku karbidu tantalu TaC má vyriešiť problém s okrajmi a zlepšiť kvalitu rastu kryštálov a Semicera prelomovo vyriešila technológiu povlakovania karbidu tantalu (CVD), čím dosiahla medzinárodnú pokročilú úroveň.

Po rokoch vývoja si Semicera podmanila technológiuCVD TaCspoločným úsilím oddelenia výskumu a vývoja. Poruchy sa ľahko vyskytujú v procese rastu doštičiek SiC, ale po použitíTaC, rozdiel je značný. Nižšie je uvedené porovnanie doštičiek s a bez TaC, ako aj častí Simicera pre rast monokryštálov.

Vysokoúčinný povlak z karbidu tantalu_ zlepšuje efektivitu priemyselnej výroby a znižuje náklady na údržbu Odporúčaný obrázok

Tac časť pre rast monokryštálov

Povlak karbidu tantalu proti opotrebeniu_ Chráni zariadenie pred opotrebovaním a koróziou Odporúčaný obrázok

Grafit s krúžkom potiahnutým TaC

s a bez TaC

Po použití TaC (vpravo)

Navyše, Semicera'sProdukty potiahnuté TaCvykazujú dlhšiu životnosť a väčšiu odolnosť voči vysokým teplotám v porovnaní sSiC povlaky.Laboratórne merania preukázali, že našeTaC povlakymôže nepretržite fungovať pri teplotách až do 2300 stupňov Celzia po dlhú dobu. Nižšie uvádzame niekoľko príkladov našich vzoriek: